Memrystory są postrzegane jako podstawowy element elektroniki, obok rezystorów, kondensatorów i cewek indukcyjnych. W tej chwili stały się realną propozycją jako zamiennik pamięci DRAM i Flash. Do tej pory jednak, gdy zostały wytworzone w laboratorium, naukowcy nie w pełni rozumieli ich zachowania. Teraz jednak zespół nakreślił fizyczne i chemiczne właściwości memrystorów badając je w nanoskali. Do zbadania rezystancji użyto skoncentrowanych promieni Roentgena.
„Jedną z największych przeszkód w korzystaniu z tych urządzeń jest zrozumienie, jak działają: zrozumienie obrazu mikroskopowego przedstawiającego, w jaki sposób memrystory przechodzą tak ogromne i odwracalne zmiany oporu”, mówi John Paul Strachan z nanoElectronics Research Group laboratoriów Hewlett-Packard.
„W tej chwili dysponujemy bezpośrednim obrazem profilu termicznego, który jest zlokalizowany w obrębie kanału podczas działania prądu elektrycznego. Dzięki temu będziemy mogli wpłynąć na przyspieszenie działania memrystorów”.
Źródło: TGDaily