W maju 2008 firma HP ogłosiła, że R. Stanley’owi Williamsowi z zespołem specjalistów z laboratoriów badawczych firmy rzeczywiście udało się zbudować memrystor. Element został wykonany z półprzewodnika: dwutlenku tytanu. Urządzenie ma zapewnić efektywną formę pamięci nieulotnej, która może zastąpić pamięć typu Flash.
Porównując mamrystor i pamięć flash, Williams mówi: „[Memristor] dłużej przechowuje dane, jest łatwiejszy do wykonania – co oznacza, że jest również tańszy. Może być również uruchomiony dużo szybciej, przy mniejszym zużyciu energii.”
Jako powód rocznego opóźnienia podaje się partnerów produkcyjnych, którzy nie są w stanie wdrożyć technologii memrystorów. Z drugiej strony, wydaje się, że opóźnienie jest kontrolowane – przedstawiciele partnera HP, firmy Hynix, obawiają się, że memrystorom uda się szybko wyprzeć tradycyjne technologie.
Źródło: Register