Nie bez powodu w sieci zaczynają pojawiać się informacje dotyczące realme GT 2 Master Edition, gdyż w lipcu minie rok od prezentacji pierwszej generacji. Nie da się ukryć, że oryginalny GT Master Edition jest wyjątkowym smartfonem z uwagi na nietuzinkowy design nawiązujący do walizki podróżnej, opracowany przez Naoto Fukasawa – współczesnego japońskiego projektanta przemysłowego. Opracował on również tylny panel w modelu realme GT 2. można zatem przypuszczać, że i tym razem Pan Naoto nakreślił wygląd nadchodzącego smartfona.
I choć na ten moment nie znamy jeszcze designu, to jednak z przecieku wynika, że w wyświetlaczu umieszczona zostanie kamera dedykowana Selfie. Biorąc pod uwagę design obecnych urządzeń realme, można spokojnie przyjąć, że pojawi się w lewym górnym rogu ekranu i będzie akceptowalnych rozmiarów.
Wydajność zagwarantuje najlepszy SoC od Qualcomm
Podobno w smartfonie ma zostać zastosowany najnowszy układ SoC w asortymencie marki Qualcomm. Mowa oczywiście o Snapdragon 8+ Gen1, który zadebiutował pod koniec ubiegłego miesiąca i już niebawem zagości w wielu superwydajnych smartfonach. Podobno jest w stanie zapewnić lepszą wydajność energetyczną o 30% względem poprzednika, a do tego jeszcze podkręcony został rdzeń główny.
Układ jest produkowany przez TSMC (Taiwanese Semiconductor Manufacturing Company) w -nanometrowym procesie technologicznym i składa się z ośmiordzeniowego procesora z rdzeniem głównym ARM Cortex-X2 o taktowaniu dochodzącym do 3.2 GHz, a także układu graficznego Adreno 730.
I choć na ten moment nie jest jasne, ile pamięci RAM zostanie zaimplementowane, tak samo zresztą, jak i pamięci na dane, to można być niemal pewnym, że będą one co najmniej typu LPDDR4x i UFS 3.1 Będzie to zatem niezwykle szybki i bardzo wydajny smartfon marki realme.
realme GT Master Edition w wersji Voyager Grey / Źródło: instalki.pl
Reszta specyfikacji też przedstawia się bardzo obiecująco
Do sprzedaży mają trafić dwa warianty realme GT 2 Master Edition, które mają różnić się między innymi szybkością ładowania. Jeden model zostanie wyposażony w akumulator o pojemności 4800 mAh i technologię szybkiego ładowania o mocy 150W. W przypadku drugiego modelu pojemność akumulatora wzrośnie (5000 mAh), aczkolwiek ładowanie spadnie do 100W. Podobną strategię obrano w przypadku modelu realme GT Neo 3.
Na froncie obecny będzie wyświetlacz wykonany w technologii OLED z częstotliwością odświeżania 120Hz. Na tylnym panelu obecny będzie natomiast aparat główny 50 MP z sensorem Sony IMX766. Zapewne nie zabraknie optycznej stabilizacji obrazu.
Będzie to zatem podrasowany realme GT Neo 3
Ujawnione informacje jednoznacznie wakują, że nadchodzący realme GT 2 Master Edition będzie podrasowanym realme GT Neo 3, w którym gości MediaTek Dimensity 8100 (5 nm).
Niestety na ten moment nie jest znana data premiery, a także reszta specyfikacji technicznej, a zatem zainteresowanym pozostaje tylko czekać.
Źródło: Weibo / fot. tyt. realme