Dokładna specyfikacja techniczna nie została jeszcze ujawniona. Wiemy jednak, że będzie to pierwszy procesor stworzony w 10-nanometrowym procesie produkcyjnym FinFET Samsunga.
W porównaniu z obecnym 14-nanometrowym procesem FinFET 10-nanometrowa litografia zaoferuje zwiększenie efektywności powierzchni o 30% przy wzroście wydajności na poziomie 27%. Do tego dochodzi znacznie mniejsze (o około 40%) zapotrzebowanie na energię.
Samsung jest pierwszym producentem, który wdroży masową produkcję procesorów w 10-nanometrowym procesie.
Smartfony oparte na Snapdragonie 835 zrobią też użytek z technologii Quick Charge 4. Według zapewnień producenta, zaledwie 5 minut ładowania powinno wystarczyć na kolejne 5 godzin działania urządzenia.
W stosunku do Quick Charge 3.0 ładowanie będzie się odbywać o 20% szybciej i będzie o 30% bardziej wydajne, a przy tym temperatura ogniwa będzie chłodniejsza o 5 stopni Celsjusza.
Quick Charge 4W odniesieniu do niedawnych historii z Galaxy Note 7 Qualcomm nawiązał również do kwestii bezpieczeństwa. W przypadku Quick Charge 4 zarówno ładowarka, jak i smartfon będą posiadać ochronę przed wysokimi wartościami temperatury, napięcia i natężenia. W procesorze i baterii znajdzie się natomiast sensor, który będzie monitorować temperaturę ogniwa.
Qualcomm Snapdragon 835 znajduje się już w produkcji. Pierwsze smartfony wykorzystujące ten układ powinny zadebiutować w pierwszej połowie 2017 roku.
Źródło: Android Authority