Nowa pamięć zawiera 36 chipów DDR4 DRAM. Każda z nich składa się z czterech układów scalonych o pojemności 4 GB. Produkcja tego modułu była możliwa dzięki zastosowaniu 20-nanometrowego procesu i technologii pakietów 3D TSV.
Kość pamięci DDR4 64 GB
W przyszłości Samsung chce jeszcze bardziej ulepszyć swoją technologię, spiętrzając więcej układów scalonych, przez co pamięć będzie się charakteryzowała znacznie większą pojemnością.
Do stworzenia pakietu pamięci DRAM 3D TSV szlifuje się układy scalone DDR4 do kilkudziesięciu mikrometrów, a następnie nakłuwa, tworząc tym samym setki małych otworów. Następnie łączy się je pionowo za pomocą elektrod. Dzięki temu nowy moduł 64 GB pamięci potrafi działać dwukrotnie szybciej, niż moduł 64 GB z pakietami połączonymi za pomocą przewodów. Wraz ze wzrostem wydajności odnotowano również o połowę mniejsze zapotrzebowanie na energię.
Kość pamięci DDR4 64 GBW przyszłości Samsung chce jeszcze bardziej ulepszyć swoją technologię, spiętrzając więcej układów scalonych, przez co pamięć będzie się charakteryzowała znacznie większą pojemnością.
Opisywane tu kości RAM są wykorzystywane głównie do rozwiązań serwerowych i mogą się przyczynić do szybkiego porzucenia technologii DDR3 na rzecz DDR4.
Źródło: Samsung