Pięć warstw DRAM 14 nm w technologii ekstremalnego ultrafioletu
Jak stwierdził starszy wiceprezes i szef działu produktów i technologii DRAM w Samsungu Jooyoung Lee – „Dziś Samsung ustanawia kolejny kamień milowy w technologii wielowarstwowego EUV, który pozwolił na ekstremalną miniaturyzację w 14nm – wyczyn nieosiągalny w konwencjonalnym procesie argonowo-fluorkowym (ArF). Postęp ten pozwoli nam dostarczać najbardziej zróżnicowane rozwiązania pamięciowe, w pełni odpowiadając na potrzeby współczesnego świata napędzanego przez t5G, AI i metawersję.„
Z racji tego, że DRAM wciąż skaluje się w dół w zakresie 10 nm, ogłoszone wdrożenie technologii EUV jest jeszcze ważniejsze. Zaowocuje to poprawą dokładności patteringu, co przełoży się na wyższą wydajność produkcji. Samsung Electronics stosuje aż pięć warstw EUV w 14 nm DRAM, co przekłada się na najwyższą gęstość bitową i ogólną wydajność wafla lepszą o 20 proc. Co ważne, proces ten pomaga obniżyć zużycie energii o prawie 20 proc. w porównaniu z poprzednią generacją DRAM.
Nowa metoda Samsunga z potencjałem w profesjonalnym segmencie
Wykorzystując standard DDR5 i 14 nm DRAM Samsunga, firma może zapewnić prędkości do 7,2 Gb/s, więc ponad dwa razy lepsze niż dla DDR4 (3,2 Gb/s). Samsung Electronics ma w planach rozszerzenie oferty 14 nm DDR5 uwzględniając produkty dla centrów danych, superkomputerów czy aplikacji serwerowych, więc przede wszystkim zastosowań profesjonalnych. Firma przewiduje też zwiększenie gęstości 14 nm DRAM do 24 Gb, co pozwoli oferować jeszcze pojemniejsze modułu w korzystnych cenach, a to bardzo ważne szczególnie dla zaawansowanych systemów IT..
Zobacz również: ADATA XPG z rekordowym OC pamięci DDR5. Tak mocne przetaktowanie robi wrażenie
Źródło i foto: Samsung