Samsung zapowiada mniejsze i szybsze pamięci DRAM dla PC

Karol SnopekSkomentuj
Samsung zapowiada mniejsze i szybsze pamięci DRAM dla PC
{reklama-artykul}
Koreański gigant przedstawił najmniejsze 8-gigabitowe (Gb) układy pamięci RAM typu DDR4, których stworzenie możliwe było dzięki wykorzystaniu drugiej generacji 10 nm litografii.

Nowe pamięci Samsunga mają być o 10% wydajniejsze (3600 Mb/s na pin) i 15% bardziej energooszczędne od poprzedniej generacji, która zadebiutowała w 2016 roku. Producent nie podał konkretnej wartości litografii, więc nowe pamięci korzystają z określenia pamięci klasy 10 nm, a to prawdopodobnie oznacza, że proces technologiczny wynosi od 10 do 19 nm.

Najważniejsze są jednak osiągi i jak zapowiada Samsung, nowe pamięci DRAM są o 30% bardziej produktywne niż poprzednia generacja. Stosowany jest tutaj bardziej efektywny system wykrywania błędów, dzięki któremu możliwe jest dokładniejsze określenie tego, co przechowywane jest w każdej komórce.

10-Nanometer Class DRAM
Zdradzono również, że wykorzystany jest tutaj unikalny dystansownik, który niweluje tzw. pojemność pasożytniczą, która wywoływana jest przez bliskość poszczególnych elementów obwodu co niekorzystnie wpływa na ich pole elektryczne.

W planach producenta jest przeniesienie produkcji na 8 nm z wykorzystaniem praktycznie tych samych technologii. Kolejnym krokiem jest stworzenie pamięci opartych na 7 nm litografii, co będzie bardzo wymagające.

Źródło: Samsung

Udostępnij

Karol Snopek