IBM podjął współpracę z Samsungiem. Firmy oficjalnie pochwaliły się swoim najnowszym osiągnięciem w zakresie projektowania półprzewodników. W tym wypadku zarówno koreańska i amerykańska firma postawiła na nowy sposób układania tranzystorów – mają one znajdować się w pozycji pionowej. Do tej pory tranzystory na procesorach leżały płasko na powierzchni półprzewodnika.
Nowa konstrukcja została oznaczona jako VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) i w przyszłości zastąpi obecnie wykorzystywany proces FinFET. Jakie będziemy mieli z tego korzyści?
Samsung i IBM chcą przełomu w energoooszczędności
Wykorzystanie technologii VTFET będzie mogło pozwolić producentom na upchnięcie jeszcze większej ilości tranzystorów na półprzewodniku niż miało to miejsce dotychczas. Zasadniczo nowy projekt pozwalałby na układanie tranzystorów pionowo, umożliwiając inny przepływ prądu. Pionowe projekty półprzewodników są już trendem od jakiegoś czasu, a plany największych firm technologicznych zmierzają właśnie w ich kierunku.
Tu warto wymienić Intela, który również zamierza skorzystać z procesu VTFET w przypadku swoich układów. To wszystko ma sens: kiedy zabraknie miejsca, aby dodać większą liczbę tranzystorów w jednej płaszczyźnie, trzeba będzie… iść w górę.
Według Samsunga i IBM, wykorzystanie technologii VTFET może przełożyć się na dwukrotną poprawę wydajnośći oraz o 85 proc. lepszą energooszczędność. VTFET ma także pomóc utrzymać Prawo Moore’a. IBM przekazał, że czipy VTFET pozwolą smartfonom na działanie na jednym ładowaniu przez około tydzień.
VTFET sprawdzi się także w zmniejszeniu energii podczas wydobyciu kryptowalut, szyfrowaniu danych czy tworzeniu wydajniejszych sprzętów z segmentu Internet of Things. Już na początku 2021 roku IBM pokazywał swój prototypowy układ stworzony w procesie 2 nanometrów.
Minie jeszcze jednak sporo czasu zanim zobaczymy technologię Samsunga i IBM w praktyce.
Można spodziewać się, że jej komercyjne wdrożenie potrwa co najmniej kilka lat.
Źródło: IBM / fot. IBM